ON Semiconductor KSA931YTA
- 收藏
- 对比
KSA931YTA
1807-KSA931YTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
1最小包装量--
KSA931YTA详情
ON Semiconductor KSA931YTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
引脚数
3
质量
371.1027mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-300mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
1W
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-700mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
KSA931
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
700mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 50mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
-80V
发射极基极电压 (VEBO)
-8V
高度
8mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSA931YTA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。