ON Semiconductor KSB1116GBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-200mV

Number of Elements

1

hFEMin

135

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

750mW

额定电流

-1A

频率

120MHz

基本部件号

KSB1116

元素配置

Single

功率耗散

750mW

增益带宽积

120MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅