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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.137574
10
¥1.073183
100
¥1.012432
500
¥0.955125
1000
¥0.901064
ON Semiconductor KSB564ACGBU
- 收藏
- 对比
KSB564ACGBU
1807-KSB564ACGBU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
大陆
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TRANS PNP 25V 1A TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSB564ACGBU详情
ON Semiconductor KSB564ACGBU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Number of Elements
1
hFEMin
70
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-25V
最大功率耗散
800mW
额定电流
-1A
频率
110MHz
基本部件号
KSB564
元素配置
Single
功率耗散
800mW
增益带宽积
110MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
集电极基极电压(VCBO)
-30V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
KSB564ACGBU拓展信息
ON Semiconductor
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