ON Semiconductor KSB744YSTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

1W

额定电流

-3A

频率

45MHz

元素配置

Single

功率耗散

1W

增益带宽积

45MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 150mA, 1.5A

集电极基极电压(VCBO)

-70V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅