ON Semiconductor KSB834Y

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

1.5W

额定电流

-3A

频率

9MHz

基本部件号

KSB834

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

功率 - 最大

1.5W

增益带宽积

9MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 300mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

9MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅