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1

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￥0.674451
1000

￥0.562042
2000

￥0.515632
5000

￥0.4819
10000

￥0.448279
15000

￥0.433535
50000

￥0.426295

ON Semiconductor KSC1675RBU

Name: KSC1675RBU
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-KSC1675RBU
Price: 0.92 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSC1675RBU

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-KSC1675RBU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk

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KSC1675RBU ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk

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ON Semiconductor KSC1675RBU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V
Number of Elements

1
hFEMin

40
包装

Bulk
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
电压 - 额定直流

30V
最大功率耗散

250mW
额定电流

50mA
频率

300MHz
基本部件号

KSC1675
元素配置

Single
功率耗散

250mW
增益带宽积

300MHz
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

30V
最大集电极电流

50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1mA 6V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
连续集电极电流

50mA
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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KSC1675RBU拓展信息

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