ON Semiconductor KSC1815YBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

400mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

150mA

频率

80MHz

基本部件号

KSC1815

元素配置

Single

功率耗散

400mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

80MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

转换频率

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅