ON Semiconductor KSC2310YBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

185mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

800mW

额定电流

50mA

频率

100MHz

基本部件号

KSC2310

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

800mW

功率 - 最大

800mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅