ON Semiconductor KSC2383YBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

引脚数

3

质量

185mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

900mW

额定电流

1A

频率

100MHz

基本部件号

KSC2383

元素配置

Single

功率耗散

900mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 200mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅