ON Semiconductor KSC5021RTU

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

50W

频率

18MHz

元素配置

Single

功率耗散

50W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

18MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 600mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 600mA, 3A

转换频率

18MHz

集电极基极电压(VCBO)

800V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant