ON Semiconductor KSC5030FRTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Number of Elements

1

hFEMin

10

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

60W

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 600mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 600mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

1.1kV

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准