ON Semiconductor KSC5305DTU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

75W

元素配置

Single

功率耗散

75W

比特数

1

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 2A 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 400mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

800V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

15.7mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅