ON Semiconductor KSC839YBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

hFEMin

40

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

250MHz

Power Dissipation (Max)

250mW

Number of Elements

1

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

30V

额定电流

100mA

频率

250MHz

元素配置

Single

功率耗散

250mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 2mA 12V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 1mA, 10mA

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅