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价格梯度

内地含税价

1

￥1.495388
10

￥1.410744
100

￥1.33089
500

￥1.255561
1000

￥1.184491

ON Semiconductor KSC945GTA

Name: KSC945GTA
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-KSC945GTA
Price: 1.5 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSC945GTA

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-KSC945GTA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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KSC945GTA ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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ON Semiconductor KSC945GTA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

6 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数

3
质量

240mg
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV
Number of Elements

1
hFEMin

40
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Box (TB)
已出版

2002
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
电压 - 额定直流

50V
最大功率耗散

250mW
端子位置

BOTTOM
额定电流

150mA
频率

300MHz
基本部件号

KSC945
元素配置

Single
功率耗散

250mW
晶体管应用

AMPLIFIER
增益带宽积

300MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

150mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1mA 6V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA
转换频率

300MHz
最大击穿电压

50V
集电极基极电压(VCBO)

60V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

4.58mm
长度

4.58mm
宽度

3.86mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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KSC945GTA拓展信息

热销零件