ON Semiconductor KSD1691GSTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.3W

基本部件号

KSD1691

元素配置

Single

功率 - 最大

1.3W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2A 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 200mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

11mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant