ON Semiconductor KSD363RTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

40W

额定电流

6A

频率

10MHz

基本部件号

KSD363

元素配置

Single

功率耗散

40W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A 5V

最大集极截止电流

1mA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100mA, 1A

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

高度

14.2mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅