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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.869501
10
¥3.650475
100
¥3.443845
500
¥3.248908
1000
¥3.065009
ON Semiconductor KSD471ACYTA
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- 对比
KSD471ACYTA
1807-KSD471ACYTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSD471ACYTA详情
ON Semiconductor KSD471ACYTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
800mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
1A
频率
130MHz
基本部件号
KSD471
元素配置
Single
功率耗散
800mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
130MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
130MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSD471ACYTA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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