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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.998765
10
¥0.942228
100
¥0.8889
500
¥0.838585
1000
¥0.791115
ON Semiconductor KSD5041QBU
- 收藏
- 对比
KSD5041QBU
1807-KSD5041QBU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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TRANS NPN 20V 5A TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSD5041QBU详情
ON Semiconductor KSD5041QBU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
180
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2017
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
750mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
5A
频率
150MHz
基本部件号
KSD5041
元素配置
Single
功率耗散
750mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
230 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 100mA, 3A
转换频率
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
KSD5041QBU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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