ON Semiconductor KSD560RTSTU

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

hFEMin

2000

Number of Elements

1

已出版

2000

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.5W

额定电流

5A

基本部件号

KSD560

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 3A 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 3mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

5A

宽度

4.7mm

长度

10.1mm

高度

9.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅