ON Semiconductor KSE350STU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-300V

最大功率耗散

20W

额定电流

-500mA

元素配置

Single

功率耗散

20W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

100μA ICBO

转换频率

3MHz

最大击穿电压

300V

集电极基极电压(VCBO)

-300V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅