ON Semiconductor KSE45H11

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

60

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

已出版

2001

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

1.67W

额定电流

-10A

频率

40MHz

基本部件号

KSE45H

元素配置

Single

功率耗散

1.67W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

40MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2A 1V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

40MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

VCEsat-最大值

1 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅