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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.995035
10
¥0.938712
100
¥0.885574
500
¥0.835452
1000
¥0.788159
ON Semiconductor KSP45BU
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- 对比
KSP45BU
1807-KSP45BU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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TRANS NPN 350V 0.3A TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSP45BU详情
ON Semiconductor KSP45BU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
178.2mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
350V
Collector-Emitter Saturation Voltage
750mV
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
350V
最大功率耗散
625mW
额定电流
300mA
基本部件号
KSP45
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
350V
最大集电极电流
300mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 5mA, 50mA
集电极基极电压(VCBO)
400V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
KSP45BU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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