ON Semiconductor KSP8599CTA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

625mW

额定电流

-500mA

频率

150MHz

基本部件号

KSP8599

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅