ON Semiconductor KST5087MTF

生命周期状态

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工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

hFEMin

250

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-50mA

频率

40MHz

基本部件号

KST5087

元素配置

Single

功率耗散

350mW

增益带宽积

40MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

转换频率

40MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-3V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅