ON Semiconductor MCH3106-TL-E
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MCH3106-TL-E
1807-MCH3106-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
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ON Semi MCH3106-TL-E PNP Bipolar Transistor; 3 A; 12 V; 3-Pin MCPH
1最小包装量--
MCH3106-TL-E详情
ON Semiconductor MCH3106-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
8 Weeks
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
包装/外壳
SC-70, SOT-323
安装类型
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-165mV
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
hFEMin
200
Number of Elements
1
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
900mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率
280MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
900mW
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-165mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
165mV @ 30mA, 1.5A
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
830μm
宽度
1.6mm
长度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH3106-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
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