ON Semiconductor MCT5211TVM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

质量

864mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

150% @ 1.6mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

260mW

电压-隔离度

4170Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

150mA

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

150mA

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

接通 / 关断时间（典型值）

14μs, 2.5μs

电流传输比

150%

响应时间-最大

0.00002s

RoHS状态

ROHS3 Compliant