ON Semiconductor MJ11012G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

4V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

30A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

30A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 20A 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 300mA, 30A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

30A

高度

26.67mm

长度

39.37mm

宽度

8.509mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅