ON Semiconductor MJ11032G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

表面安装

NO

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2002

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

300W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

300W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

50A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 25A 5V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 500mA, 50A

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

50A

高度

8.51mm

长度

38.86mm

宽度

26.67mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅