ON Semiconductor MJ15002G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-140V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

2MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 4A 2V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 4A

转换频率

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅