ON Semiconductor MJ15003G
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MJ15003G
1807-MJ15003G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-204AA, TO-3
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TRANS NPN 140V 20A TO3
--最小包装量--
MJ15003G详情
ON Semiconductor MJ15003G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
引脚数
2
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
140V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
25
操作温度
-65°C~200°C TJ
包装
Tray
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
140V
最大功率耗散
250W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
20A
频率
2MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
2
元素配置
Single
功率耗散
250W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
2MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
140V
最大集电极电流
20A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 5A 2V
最大集极截止电流
250μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 500mA, 5A
转换频率
2MHz
集电极基极电压(VCBO)
140V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
8.51mm
长度
39.37mm
宽度
26.67mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MJ15003G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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