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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MJ21194G
MJ21194G
MJ21194G

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ON Semiconductor MJ21194G

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型号

MJ21194G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MJ21194G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-204AA, TO-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 250VDC; IC 16A; PD 250W; TO-204AA (TO-3)

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MJ21194G
MJ21194G ON Semiconductor Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 250VDC; IC 16A; PD 250W; TO-204AA (TO-3)

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技术参数

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ON Semiconductor MJ21194G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-204AA, TO-3

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    2

  • 质量

    4.535924g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    250V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.4V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    25

  • 操作温度

    -65°C~200°C TJ

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    250V

  • 最大功率耗散

    250W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 额定电流

    16A

  • 频率

    4MHz

  • 引脚数量

    2

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    4MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    250V

  • 最大集电极电流

    16A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    25 @ 8A 5V

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    4V @ 3.2A, 16A

  • 转换频率

    4MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    400V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 高度

    8.51mm

  • 长度

    39.37mm

  • 宽度

    26.67mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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