ON Semiconductor MJ802G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

90V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

90V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

30A

频率

2MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJ802

引脚数量

2

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

2MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

90V

最大集电极电流

30A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 7.5A 2V

最大集极截止电流

1mA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 750mA, 7.5A

转换频率

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

高度

8.51mm

长度

39.37mm

宽度

26.67mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅