ON Semiconductor MJB44H11

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJB44H11

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

5V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅