ON Semiconductor MJD117TF

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

1.75W

终端形式

鸥翼

额定电流

-2A

基本部件号

MJD117

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

20W

功率 - 最大

1.75W

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 2A 3V

最大集极截止电流

20μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A

转换频率

25MHz

最大击穿电压

100V

频率转换

25MHz

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅