ON Semiconductor MJD253-1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

12.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4A

频率

40MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJD253

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

功率耗散

1.4W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

增益带宽积

40MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 200mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅