ON Semiconductor MJD350G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-300V

最大功率耗散

1.56W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJD350

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1.56W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

100μA

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

宽度

6.223mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅