ON Semiconductor MJD44H11TM

生命周期状态

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触点镀层

Tin

底架

表面贴装

包装/外壳

DPAK

引脚数

3

质量

260.37mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

60

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1.75W

终端形式

鸥翼

额定电流

8A

频率

50MHz

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.75W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

8A

JEDEC-95代码

TO-252

转换频率

50MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

40

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅