ON Semiconductor MJD50TF

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

1.56W

终端形式

鸥翼

额定电流

1A

频率

10MHz

基本部件号

MJD50

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.56W

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 300mA 10V

最大集极截止电流

200μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 1A

转换频率

10MHz

最大击穿电压

400V

集电极基极电压(VCBO)

500V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅