ON Semiconductor MJE13009G

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

可提供引线框架选项

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

2W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

12A

频率

4MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 5A 5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3A, 12A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

高度

9.28mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅