ON Semiconductor MJE15030G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

8A

频率

30MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 2V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

15.748mm

长度

10.2616mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅