ON Semiconductor MJE15031

生命周期状态

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包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

hFEMin

40

Current-Collector (Ic) (Max)

8A

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

已出版

2006

包装

Tube

操作温度

-65°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

50W

额定电流

8A

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

50W

功率 - 最大

50W

增益带宽积

30MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 2V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150V

频率转换

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅