ON Semiconductor MJE181G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

1.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

频率

50MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJE181

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

12.5W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 600mA, 3A

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

11.0998mm

长度

7.7978mm

宽度

2.9972mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅