ON Semiconductor MJE344G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

20W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

频率

15MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

15MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 5mA, 50mA

转换频率

15MHz

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅