ON Semiconductor MJE371G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

40W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

40W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100μA ICBO

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅