ON Semiconductor MJF127

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

UL 认证

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

2W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

30W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

3.5V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 3A 3V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 20mA, 5A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

5A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅