ON Semiconductor MJF18008G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

14

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL 认证

电压 - 额定直流

450V

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

8A

频率

13MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

45W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

13MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

14 @ 1A 5V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 900mA, 4.5V

转换频率

13MHz

集电极基极电压(VCBO)

1kV

发射极基极电压 (VEBO)

9V

高度

16.12mm

长度

10.63mm

宽度

4.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅