ON Semiconductor MJF6668G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL 认证

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

2W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

3000 @ 3A 4V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

转换频率

20MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

10A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅