ON Semiconductor MJH11019G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-200V

最大功率耗散

150W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

400 @ 10A 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 150mA, 15A

转换频率

3MHz

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

15A

高度

12.2mm

长度

15.2mm

宽度

4.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅