ON Semiconductor MJW21195G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-250V

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-16A

频率

4MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

极性

PNP, NPN

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

4MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250V

最大集电极电流

16A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 8A 5V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-247AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3.2A, 16A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅