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MMBFJ112
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ON Semiconductor MMBFJ112

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型号

MMBFJ112

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBFJ112

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23

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MMBFJ112
MMBFJ112 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBFJ112重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)

  • 工厂交货时间

    42 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Breakdown Voltage / V

    -35V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2000

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    35V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    5mA

  • 基本部件号

    MBFJ112

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    350mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    35V

  • 连续放电电流(ID)

    5mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -35V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 漏源电阻

    50Ohm

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

    5mA @ 15V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    1V @ 1μA

  • 电阻-RDS(On)

    50Ohm

  • 高度

    1.11mm

  • 长度

    2.92mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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